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ZY-DBC—091晶閘管關(guān)斷時(shí)間測(cè)試儀產(chǎn)品應(yīng)用特點(diǎn)

快速晶閘管和高頻晶閘管的關(guān)斷時(shí)間是最難確定的重要參數(shù)之一，因?yàn)樗鼘?duì)許多

因素有很強(qiáng)的依附性，例如結(jié)溫、控制極偏置、陽(yáng)極電壓和電流的波形及幅值等都對(duì)

關(guān)斷時(shí)間有較大的影響。嚴(yán)格按標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件制作的關(guān)斷時(shí)間測(cè)試設(shè)備線路復(fù)雜、體

積大、價(jià)格昂貴，我們參考國(guó)外有關(guān)資料介紹，設(shè)計(jì)了簡(jiǎn)易型晶閘管關(guān)斷時(shí)間測(cè)試儀，

該儀器采用單片機(jī)控制，讀數(shù)數(shù)字顯示，具有操作簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、便于攜帶、

價(jià)格低廉等特點(diǎn)，可供晶閘管生產(chǎn)車(chē)間半成品及成品的中間測(cè)試，以供工藝設(shè)計(jì)人員

調(diào)整工藝參數(shù)提供依據(jù)。對(duì)整機(jī)應(yīng)用的工程技術(shù)人員作為對(duì)元件關(guān)斷時(shí)間的選用和多

只元件串并聯(lián)時(shí)的關(guān)斷時(shí)間配對(duì)帶來(lái)方便。該測(cè)試儀所測(cè)關(guān)斷時(shí)間一般乘以常數(shù) 2±

0.2 后能大致與標(biāo)準(zhǔn)條件下測(cè)得的關(guān)斷時(shí)間相一致。

技術(shù)參數(shù)與要求：

1．關(guān)斷時(shí)間測(cè)試范圍： 3－200μS、5－500μS

2．測(cè)試結(jié)溫： 室溫測(cè)試

3．工作環(huán)境： 海拔不超過(guò) 2000 米

環(huán)境溫度：0～40℃

相對(duì)濕度：<85%

無(wú)導(dǎo)電及爆炸性塵埃

無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽

無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊

4．測(cè)量精度： ±5%

5．測(cè)量重復(fù)性誤差： ±0.5μS

6．整機(jī)電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 50VA

7．整機(jī)外形尺寸： 140×280×320mm

8．整機(jī)重量： 約 3.5Kg

ZY-DBC-021晶閘管伏安特性測(cè)試儀

該測(cè)試儀是符合國(guó)標(biāo)GB4023-83《半導(dǎo)體器件整流二極管的測(cè)試方法》和GB-4024-83《半導(dǎo)體反向阻斷三極晶閘管的測(cè)試方法》，能測(cè)試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與各種整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數(shù)。線路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔精煉，采用單片機(jī)控制，具有體積小、重量輕、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試準(zhǔn)確、保護(hù)可靠和維修方便等特點(diǎn)，是晶閘管及整流管器件生產(chǎn)廠、經(jīng)銷(xiāo)商及整機(jī)廠檢測(cè)器件伏安特性參數(shù)專(zhuān)用檢測(cè)設(shè)備

主要技術(shù)指標(biāo)：

1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V

2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA、0—200mA

3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—99mA、0—198mA

4．機(jī)內(nèi)示波器可觀看動(dòng)態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形

ZY-DBC-112晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)

一、概述：

    該測(cè)試臺(tái)是將晶閘管及整流二極管的多個(gè)靜態(tài)直流參數(shù)的測(cè)試制作在一起的綜合性測(cè)試臺(tái)，能測(cè)試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二極管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項(xiàng)參數(shù)，測(cè)試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀準(zhǔn)確。設(shè)備內(nèi)還自帶示波器用于觀看伏安特性曲線。該設(shè)備具有操作簡(jiǎn)單，測(cè)試準(zhǔn)確，重復(fù)性好等特點(diǎn)，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和使用單位的檢測(cè)設(shè)備。

二、主要技術(shù)指標(biāo)和參數(shù)：

 1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—4000V

 2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA

 3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—99mA

 4．觸發(fā)電壓測(cè)量范圍：0—5V

 5．觸發(fā)電流測(cè)量范圍：0—450mA

 6．維持電流測(cè)量范圍：0—450mA

 7．通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍：0—6000A

 8．通態(tài)峰值電壓測(cè)試范圍：0—5V

 9．整機(jī)電源功耗：AC220、≤1000VA

ZY-DBC-091/051/081晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)

晶閘管關(guān)斷時(shí)間、電壓上升率、電流上升率綜合測(cè)試臺(tái)

一、概述：

晶閘管的關(guān)斷時(shí)間 t q  ，電壓上升率dv/dt ，電流上升率di/dt是晶閘管元件的三個(gè)重要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，國(guó)標(biāo)規(guī)定這三個(gè)動(dòng)態(tài)參數(shù)是快速晶閘管和高頻晶閘管元件出廠前的必測(cè)項(xiàng)目。我們研制的三參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)，是以國(guó)標(biāo)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù)，以滿(mǎn)足大批量生產(chǎn)為前提而設(shè)計(jì)的，具有操作簡(jiǎn)單、讀數(shù)直觀、測(cè)試效率高等特點(diǎn)，特別是各參數(shù)自動(dòng)測(cè)試、數(shù)字顯示，不用看示波器，不用手動(dòng)調(diào)節(jié)，減少了人為誤差，提高了測(cè)試效率。元件上夾具后三個(gè)參數(shù)一次測(cè)完，減少了管芯表面損傷，并提高了測(cè)試效率。

二、整機(jī)技術(shù)指標(biāo)：

1．關(guān)斷時(shí)間t q  測(cè)試范圍：5—200μS

主要測(cè)試條件：

①通態(tài)峰值電流：50A—1000A可調(diào)

②通態(tài)峰值電流底寬：約400μS  

③通態(tài)峰值電流下降率：-di/dt=10—20A/μS

④關(guān)斷期間施加反壓幅值：20—100V

⑤重加電壓幅值：100—1000V可調(diào)

⑥重加電壓dv/dt：30V/μS

⑦測(cè)試重復(fù)頻率：12.5Hz或6.25Hz

⑧結(jié)溫：按規(guī)定

2．dv/dt測(cè)試范圍：200、300、500、800、1000V/μS自動(dòng)轉(zhuǎn)換

主要測(cè)試條件：

①dv/dt電壓幅值：0—1000V可調(diào)

②測(cè)試重復(fù)頻率：50HZ

③指數(shù)法測(cè)試

④結(jié)溫：按規(guī)定

3．di/dt測(cè)試范圍：100—200A/μS 可調(diào)

主要測(cè)試條件：

①通態(tài)峰值電流幅值：1000—2000A可調(diào)

②通態(tài)峰值電流底寬：約20μS

③開(kāi)通前斷態(tài)電壓：500—1000V可調(diào)

④觸發(fā)脈沖前沿≤0.5μS，底寬=30μS

⑤測(cè)試重復(fù)頻率：50HZ

⑥結(jié)溫：按規(guī)定

4、配簡(jiǎn)易測(cè)試恒溫夾具：

①恒溫范圍：室溫—150℃可調(diào)

②夾具壓力：人力控制。

ZY-DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)

晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)的測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo)，用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過(guò)載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波?？刂苹芈凡捎脝纹瑱C(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位設(shè)備。

技術(shù)指標(biāo)：

1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。

2．ITSM測(cè)試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。

3．VRM測(cè)試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。

4．測(cè)試頻率：?jiǎn)未巍?/span>

5．設(shè)備配有專(zhuān)用示波器供觀看反向伏安特性波形。

ZY-DBC-012晶閘管峰值壓降測(cè)試臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)

本設(shè)備是依據(jù)國(guó)標(biāo) GB4023--83《半導(dǎo)體器件整流二極管的測(cè)試方法》和 GB4024--83《半

導(dǎo)體器件反向阻斷三極晶閘管的測(cè)試方法》而研制的晶閘管和整流管通態(tài)峰值電流和通態(tài)

峰值電壓的專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。能測(cè)試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）的 ITM及 VTM和各種整

流二極管（ZP、ZK）的 IFM及 VFM參數(shù)。本設(shè)備采用儲(chǔ)能式單次脈沖測(cè)試方式，通電時(shí)間

短，結(jié)溫升可忽略不計(jì)。通態(tài)峰值電流采用數(shù)字撥碼開(kāi)關(guān)進(jìn)行設(shè)定，峰值電壓由數(shù)字電壓

表顯示，具有操作簡(jiǎn)單，測(cè)試準(zhǔn)確，重復(fù)性好等特點(diǎn)，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家和使

用單位檢測(cè)設(shè)備。

主要技術(shù)指標(biāo)：

1．自動(dòng)測(cè)試，參數(shù)數(shù)字顯示。

2．通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍：100—3000A。

3．通態(tài)峰值電壓測(cè)試范圍：0—5V

4．峰值電流底寬：≥2mS

5．重復(fù)測(cè)試時(shí)間：小于 5S

6． 測(cè)試參數(shù)保持顯示，設(shè)置復(fù)位按鈕。

7．整機(jī)電源功耗：AC220V、小于 1KVA

8．整機(jī)外形尺寸： 600×600×800

9．整機(jī)重量：約 80kg

ZY-DBC-161晶閘管模塊全動(dòng)態(tài)測(cè)試臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)

晶閘管模塊的全動(dòng)態(tài)測(cè)試，實(shí)際上是模擬器件的工頻應(yīng)用狀態(tài)，在正半周施加接近單相正弦半波的額定通態(tài)平均電流，使器件自身發(fā)熱，當(dāng)發(fā)熱與散熱達(dá)到熱平衡時(shí)，器件結(jié)溫將穩(wěn)定在一定值，此時(shí)在負(fù)半周施加正向或反向不重復(fù)峰值電壓或重復(fù)峰值電壓，在正向或反向重復(fù)峰值電壓下讀取正向或反向重復(fù)平均漏電流。在不加正向或反向峰值電壓時(shí)測(cè)取器件的通態(tài)平均壓降。當(dāng)重復(fù)平均漏電流和通態(tài)平均壓降都小于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值時(shí)，該器件為全動(dòng)態(tài)測(cè)試合格。

　　晶閘管的全動(dòng)態(tài)測(cè)試是過(guò)去部標(biāo)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的器件出廠必測(cè)項(xiàng)目，它能將那些在高溫測(cè)試時(shí)重復(fù)峰值電壓和漏電流都合格而在通額定電流時(shí)結(jié)溫過(guò)高漏電流過(guò)大的器件淘汰掉，保證了器件出廠使用的可靠性。

該測(cè)試臺(tái)線路設(shè)計(jì)先進(jìn)、主回路無(wú)負(fù)載電阻、節(jié)電效率高、操作簡(jiǎn)單、保護(hù)可靠，是晶閘管模塊生產(chǎn)廠家控制產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備。

　　主要技術(shù)指標(biāo)：

　　1.通態(tài)平均電流測(cè)試范圍： 50—500A ,50—800A ,50—1000A（分八擋）

　　2.通態(tài)平均壓降測(cè)試范圍： 0—1.5 V

　　3.正反向峰值電壓測(cè)試范圍： 0—2500 V

　　4.正反向平均漏電流測(cè)試范圍：0—15 mA

　　5.機(jī)內(nèi)配有專(zhuān)用示波器供觀看伏安特性曲線

　　6.保護(hù)措施：當(dāng)漏電流超過(guò)保護(hù)設(shè)定值時(shí)，保護(hù)線路能自動(dòng)在半個(gè)周期（10mS）內(nèi)關(guān)閉高壓，確保被測(cè)器件不被擊穿

　　7.冷卻方式：開(kāi)環(huán)室溫吹風(fēng)冷卻

　　8.供電方式：采用Ａ相和Ｃ相380V供電，最大使用功率約15KVA

ZY-DBC-101-IFSM二極管浪涌電流測(cè)試臺(tái)產(chǎn)品應(yīng)用

二極管元件在實(shí)際使用中，除了能長(zhǎng)期通過(guò)額定通態(tài)平均電流外，還應(yīng)能承受一定倍數(shù)的浪涌過(guò)載電流而不致?lián)p壞，以便適應(yīng)在各種應(yīng)用中的要求。二極管的浪涌過(guò)載電流如果超過(guò)其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化），重者造成燒毀穿通而失去反向阻斷能力。通過(guò)浪涌過(guò)載電流測(cè)試合格的器件，可以大大提高其在使用中的可靠性。

　　我們開(kāi)發(fā)研制二極管浪涌電流測(cè)試臺(tái)，主要是依據(jù)JB/T7624-94《整流二極管測(cè)試方法》和JB/T7626-94《反向阻斷三極管測(cè)試方法》的有關(guān)規(guī)定而設(shè)計(jì)的。該設(shè)備線路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔精練，采用單片機(jī)控制，完成對(duì)電容自動(dòng)充電、自動(dòng)穩(wěn)壓，自動(dòng)檢測(cè)浪涌電流的實(shí)際波形和峰值，并存儲(chǔ)保持。浪涌電流峰值由數(shù)字表顯示，浪涌電流波形由波形接口輸出供外接示波器觀察分析。該設(shè)備具有技術(shù)先進(jìn)、性能可靠、體積小、重量輕、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試重復(fù)性好、維修調(diào)試方便等特點(diǎn)，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的試驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備。

　主要技術(shù)指標(biāo)：

1. IFSM測(cè)試范圍：200A—2000A±3％

2. IFSM波形：分兩檔，分別為底寬7.5—8.5mS和9.2—10.2mS的近似正弦半波

3. ITSM測(cè)試頻率：?jiǎn)未尾?/span>

4. 設(shè)有浪涌次數(shù)記錄顯示，為重復(fù)多次浪涌提供方便。

5. 設(shè)有ITSM存儲(chǔ)波形觀察接口，為維修調(diào)試提供方便。

6. 整機(jī)電源：AC220V、50Hz，平均功率小于1KVA。

7. 整機(jī)外型：600×600×960滾輪式落地機(jī)柜，可自由移動(dòng)。

ZY-DBC-031晶閘管觸發(fā)特性測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn)

本測(cè)試儀是測(cè)試各種反向阻斷晶閘管、雙向晶閘管及逆導(dǎo)晶閘管的維持電流 IH、

觸發(fā)電流 IGT、觸發(fā)電壓 VGT 三項(xiàng)參數(shù)的專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。本儀器測(cè)試方法符合 GB4024- GB4024-83

國(guó)標(biāo)的規(guī)定，線路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔精煉，采用單片機(jī)控制、自動(dòng)測(cè)試、數(shù)字顯示、操作簡(jiǎn)單、

維修方便、價(jià)格低廉，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家和器件使用單位的檢測(cè)設(shè)

備。

 本儀器具有以下特點(diǎn)：

 1. 能測(cè)試雙向晶閘管I +、I -、Ⅲ - 三個(gè)象限的觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓。

 2. 可任意設(shè)定只測(cè)量某一參數(shù)或所有參數(shù)全測(cè)。

3. 每次測(cè)試只需按一下測(cè)試按鈕即可依次將所設(shè)定的參數(shù)測(cè)完并自動(dòng)復(fù)位等待

下次測(cè)試。

4. 參數(shù)測(cè)試結(jié)果的顯示時(shí)間可在 1-9 秒內(nèi)任意設(shè)定，也可以長(zhǎng)時(shí)間顯示，再按下

測(cè)試按鈕進(jìn)行下一參數(shù)的測(cè)試。

5. 有故障判斷功能，當(dāng)被測(cè)管是壞的，或因接線錯(cuò)誤、接觸不良等原因測(cè)不出參

 數(shù)時(shí)，儀器即自動(dòng)判斷故障，此時(shí)測(cè)試按鈕燈閃爍一下，并能發(fā)出嘟的一聲報(bào)

 警。

二、技術(shù)參數(shù)與要求：

1. 維持電流測(cè)試范圍： 5 — 4 5 0 m A

2. 觸發(fā)電流測(cè)試范圍： 5 — 4 5 0 m A

3. 觸發(fā)電壓測(cè)試范圍： 0 — 4 . 5 V

4. 測(cè)量時(shí)間： ＜ 2 S

5. 讀數(shù)顯示時(shí)間： 1 — 9 S 可任意設(shè)定

6．工作環(huán)境： 海拔不超過(guò) 2000 米

環(huán)境溫度：0～40℃

相對(duì)濕度：<85%

晶 閘 管 I 晶 閘 管 I H、 I G T 、 V G T 自 動(dòng) 測(cè) 試 儀 使 用 說(shuō) 明 書(shū) 使 用 說(shuō) 明 書(shū)

無(wú)導(dǎo)電及爆炸性塵埃

無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽

無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊

7．測(cè)量精度： ±5%

8.整機(jī)電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 50VA

9.整機(jī)外形尺寸： 140×320×280mm

10.整機(jī)重量： 約 5Kg

ZY-DBC-021/031晶閘管綜合測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)

晶閘管的伏安特性和觸發(fā)特性是晶閘管的最基本特性，這些特性的好壞，直接影響到

器件在整機(jī)上的正常使用。因此，檢測(cè)晶閘管的伏安特性和觸發(fā)特性在晶閘管器件的生產(chǎn)、

經(jīng)銷(xiāo)及使用過(guò)程中都是十分重要的。測(cè)試以上參數(shù)通常由晶閘管伏安特性測(cè)試儀和晶閘管

門(mén)極觸發(fā)特性測(cè)試儀完成，測(cè)試伏安特性參數(shù)時(shí)還需另配一臺(tái)示波器觀看伏安特性曲線，

以上三臺(tái)儀器總造價(jià)比較高，且臺(tái)數(shù)多、占地大、操作不方便。我們根據(jù)廣大用戶(hù)的需求，

現(xiàn)研制出將以上三臺(tái)儀器作在一起的晶閘管伏安特性、觸發(fā)特性綜合測(cè)試儀，深受廣大用

戶(hù)好評(píng)。

該測(cè)試儀測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo) GB4024-83 的規(guī)定，線路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)捷精練，采用單片機(jī)控制，

數(shù)字顯示。機(jī)內(nèi)示波器可直接觀看伏安特性曲線。具有體積小、重量輕、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試

準(zhǔn)確、保護(hù)可靠、維修方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)，能測(cè)試各種晶閘管及晶閘管模塊的正反向

不重復(fù)峰值電壓、正反向重復(fù)峰值電壓、正反向重復(fù)峰值漏電流及門(mén)極觸發(fā)電流與觸發(fā)電

壓。是晶閘管器件生產(chǎn)廠、器件經(jīng)銷(xiāo)商及整機(jī)廠檢測(cè)晶閘管多項(xiàng)參數(shù)的綜合性專(zhuān)用測(cè)試設(shè)

備。

晶閘管在使用過(guò)程中，由于受到過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱等諸多因素的影響，其伏安特性和

觸發(fā)特性將會(huì)逐漸變差，甚至不能維持正常使用或*損壞，因此在進(jìn)行整機(jī)維修時(shí)，對(duì)

已用過(guò)的元件和要新上機(jī)的元件進(jìn)行檢測(cè)確認(rèn)性能良好后再上機(jī)，對(duì)盡快排除設(shè)備故障少

走彎路很有好處。。

二、技術(shù)參數(shù)與要求：

1．峰值電壓測(cè)量范圍： 0—3000V

2．峰值漏電流測(cè)量范圍： 0—100mA

3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍： 0—99mA

4．機(jī)內(nèi)示波器可觀看動(dòng)態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形

5．觸發(fā)電壓測(cè)量范圍： 0—4.5V

 6．觸發(fā)電流測(cè)量范圍： 5—450mA

 7．工作環(huán)境： 海拔不超過(guò) 2000 米

環(huán)境溫度：0～40℃

相對(duì)濕度：<85%

無(wú)導(dǎo)電及爆炸性塵埃

無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽

無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊

8．測(cè)量精度： ±5%

9.整機(jī)電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 150VA

10.整機(jī)外形尺寸： 200×400×360mm

11.整機(jī)重量： 約 8Kg

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